主要优势
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| 出色的无线性能 |
性价比高 |
丰富的无线设计生态系统 |
- 一流的无线电性能，可确保连接稳定可靠
- 先进的无线电效率
- 物联网设备的电源控制选项可延长电池使用寿命
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- 最佳价位确保让您的功能投资物超所值
- 高集成度的小型封装（集成了巴伦和HSE）
- 支持双层PCB，可降低物料成本并简化电路
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- 借助STM32Cube简化项目开发
- 射频参考设计，IPD芯片便于阻抗匹配
- Bluetooth®低功耗和网格堆栈、软件、工具与资源
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描述
STM32WB09xE是一款超低功耗的可编程Bluetooth®低功耗无线SoC解决方案。该解决方案内嵌有意法半导体先进的2.4 GHz射频无线外设，进行了超低功耗和出色无线电性能的优化，电池寿命遥遥领先。
符合Bluetooth®低功耗SIG核心规范版本5.3，支持点对点连接和Bluetooth® Mesh网络，允许以可靠的方式建立大规模设备网络。STM32WB09xE还适用于2.4 GHz专有无线通信，支持超低延迟应用。
STM32WB09xE内嵌了一个Arm® Cortex®-M0+微处理器，运行速度高达64 MHz，另有无线电内核协处理器（基于DMA），用于Bluetooth®低功耗的时序关键型操作。
除此之外，STM32WB09xE还提供增强的安全硬件支持，包含以下专用硬件功能：符合NIST特别出版物800-90B要求的真随机数发生器 (TRNG)、用于128位AES加密的安全协处理器、CRC计算单元、64位唯一ID、Flash存储器读/写保护以及公钥加速器 (PKA)。
PKA支持模块算术，包括最大模数为3136位的指数运算、素数域椭圆曲线标量乘法、ECDSA签名、最大模数为521位的ECDSA身份验证、CRC计算单元、支持恒定时间操作的安全级别。
您可以配置STM32WB09xE，使其支持独立或网络处理器应用。在第一种配置中，STM32WB09xE作为单一器件运行应用程序代码和Bluetooth®低功耗堆栈。
STM32WB09xE内嵌以下高速存储类型：512 KB的Flash存储器、64 KB的RAM、1 KB的一次性可编程 (OTP) 存储区域以及7 KB的ROM（意法半导体保留区域）。
内存和外设之间（以及内存到内存）的直接数据传输由8个DMA通道支持，DMAMUX外设具有完全灵活的通道映射。
STM32WB09xE内嵌有12位ADC，可测量多达八个外部信号源和三个内部信号源，包括电池监测和温度传感器。
STM32WB09xE配有一个低功耗RTC和一个高级16位定时器。
STM32WB09xE带有标准与高级通信接口：1个SPI-I2接口；LPUART接口；1个支持ISO 7816（智能卡模式）、IrDA和Modbus模式的USART接口；2个支持SMBus/PMBus的I2C接口。
STM32WB09xE的工作温度范围是-40 °C至+105 °C（+125 °C结温），工作电压范围是1.7 V至3.6 V。一组完整的节电模式，适合低功耗应用设计。
STM32WB09xE集成了高效的SMPS降压转换器和带固定阈值的集成PDR电路，当VDD下降到1.65 V以下时会进行器件复位。
STM32WB09xE提供两种封装类型：VFQFPN32和WLCSP36。两个版本都支持多达20个I/O。
所有功能
- 包含意法半导体先进的专利技术
- 支持Bluetooth® 5.3规范的低功耗蓝牙（BLE） 片上系统
- 2 Mb/s数据速率
- 远距离（编码的PHY）
- 扩展广播
- 信道选择算法#2
- GATT缓存
- 测向 - 到达角 (AoA) 和出发角 (AoD)
- 同步连接
- 并发链路层角色
- LE数据包长度扩展
- LE ping程序
- 周期性广播和周期性广播同步传输
- 以连接为导向的LE L2CAP信道
- LE功率控制和路径丢失监测
- LE通道分类
- 增强型ATT (EATT)
- 连接子评级
- 广播同步流 (BIS)
- 连接同步流 (CIS)
- 无线电
- RX灵敏度等级：-97 dBm @ 1 Mb/s，-104 dBm @ 125 kb/s（远距离）
- 可编程输出功率，可达+8 dBm（天线连接器处）
- 128个物理连接
- 支持的数据速率：2 Mb/s、1 Mb/s、500 Kb/s和125 Kb/s
- 内部集成巴伦
- 支持外部PA和LNA
- BlueNRG内核协处理器（基于DMA），用于低功耗蓝牙时间关键型操作
- 2.4 GHz私有无线电驱动
- 适用于需要符合以下射频规定的系统：ETSI EN 300 328、EN 300 440、FCC CFR47第15部分、ARIB STD-T66
- 用于优化匹配和滤波的集成无源器件 (IPD) 配套芯片
- 超低功耗无线电性能
- 关断模式 (1.8 V) 下13 nA
- 深度停留模式下1.2 μA（外部LSE、无线电唤醒源和RAM保持，1.8 V）
- 深度停留模式下1.3 μA（内部LSI、无线电唤醒源和RAM保持，1.8 V）
- 发射端峰值电流3.9 mA（0 dBm，3.3 V）
- 接收端峰值电流3.2 mA（灵敏度等级，3.3 V）
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- 1 KB的一次性可编程 (OTP) 存储区域
- 内嵌UART自举程序
- 超低功耗模式，带/不带定时器和RAM内容保留
- 正交解码器
- 增强型安全机制，例如：
- Flash存储器读/写保护
- SWD禁用
- 安全自举程序
- 安全特性
- 符合NIST特别出版物800-90B要求的真随机数发生器 (TRNG)
- 硬件加密AES，最高128位安全协处理器
- 硬件公钥加速器 (PKA)
- 密码算法：RSA、Diffie-Helman、GF(p) ECC算法
- CRC计算单元
- 64位唯一ID
- 系统外设
- 1x 8通道DMA控制器，支持ADC、SPI、I2C、USART、LPUART和定时器
- 1x SPI，可复用为I2S接口
- 1x I2C (SMBus/PMBus)
- 1x LPUART（低功耗）
- 1x USART（ISO 7816智能卡模式、IrDA、SPI主设备和Modbus）
- 1x独立WDG
- 1x实时时钟 (RTC)
- 1x独立系统定时器
- 1x 16位4通道通用定时器
- 2x 16位2通道通用定时器
- 红外接口
- 多达20个快速I/O
- 都具有唤醒功能
- 在低功耗模式下均处于保持状态
- 所有均为5 V耐压
- 模拟外设
- 12位ADC，具有8个输入通道，最高可达16位，带下采样器
- 电池监测
- 模拟看门狗
- 开发支持
- 所有封装均符合ECOPACK2标准
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- 高性能的超低功耗32位Arm® Cortex®-M0+，运行频率可达64 MHz
- 动态电流消耗： 15.5 µA/MHz
- 工作电压：1.7 至 3.6 V
- 温度范围为-40ºC至105ºC
- 供电和复位管理
- 高效率的嵌入式SMPS降压转换器，采用智能旁路模式
- 超低功耗的上电复位 (POR) 和下电复位 (PDR)
- 可编程电压检测器 (PVD)
- 时钟源
- 64 MHz PLL
- 具有故障保护的32 MHz晶体振荡器，配集成式微调电容器
- 32 kHz晶振
- 内部低功耗32 kHz RO
- 针对读/写操作提供页保护的512 KB片上非易失性Flash存储器
- 64 KB的片上RAM和4 KB PKA RAM
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电路原理图
